Dell戴尔 PowerEdge T150塔式服务器内存插槽使用说明，内存插法及正确安装方法

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Dell戴尔 PowerEdge T150塔式服务器系统内存指南

PowerEdgeT150系统支持 DDR4 寄存式 DIMM (UDIMM)。系统内存保存由处理器执行的指令。

系统包含四个内存插槽，分入两个通道。在每个通道中，第一个插槽的释放拉杆标为白色，第二个插槽的释放拉杆标标为黑色。

图 1. 内存通道. 此图显示内存通道。
Dell戴尔 PowerEdge T150塔式服务器内存插槽使用说明，内存插法及正确安装方法

内存通道按如下方式组织：

表 1. 内存通道
通道 0 通道 1
A1 和 A3 A2 和 A4
图 2. 内存插槽位置
表 2. 支持的内存值表
DIMM 类型 列 容量 DIMM 的额定电压和速度 每个的 DIMM (DPC)
UDIMM 1R 8 GB/16 GB DDR4 (1.2 V)、3200 MT/s 3200 MT/s
2R 32 GB DDR4 (1.2 V)、3200 MT/s 3200 MT/s

Dell戴尔 PowerEdge T150塔式服务器一般内存模块安装原则

为确保获得最佳系统性能，请在配置系统内存时遵守以下一般原则。如果系统的内存配置无法查看这些原则，系统可能无法引导、在内存配置期间停止响应，或者可能在降低内存的情况下运行。

内存总线的工作速度高达 2933 MT/s，具体取决于以下因素：

  • 所选的系统配置文件(例如,性能优化,或自定义[高速运转可以运行或更低])
  • 处理器支持的最大 DIMM 速度
  • 支持的最大 DIMM 速度
  • DIMM 的排列
注:MT/s 表示 DIMM 速度 (MT/s)。

此系统支持灵活内存配置，使系统能够在任何有效的芯片组结构配置中配置和运行。建议您遵循以下原则，以安装内存模块：

  • 所有 DIMM 都必须是 DDR4。
  • 如果安装的内存模块的速度不同，则这些模块将以其中速度最低的模块的速度运行。
  • 仅在安装处理器时填充内存模块插槽。
    • 对于单处理器系统，插槽 A1 至 A4 可用。
  • 在优化器模式中，DRAM 控制器会在 64 位模式下独立运行并提供优化的内存性能。
    注:在同一通道中将双列 DIMM 与单列或双列 DIMM 混合时，DIMM 速度限制为 2933 MT/s。
    表 1. 内存填充规则
    处理器 配置 内存填充 内存填充信息
    单处理器 优化器(独立通道)填充顺序 A{1}、A{2}、A{3}、A{4} 允许 1、2、3、4 个 DIMM。
  • 首先填充所有带白色释放卡舌的插槽，然后填充带黑色释放卡舌的插槽。
  • 不平衡或奇数内存配置会导致性能损失，并且系统可能无法识别正在安装的内存模块，因此请始终使用数量相等的 DIMM 以相同方式填充各内存通道，以获得最佳性能。