Dell戴尔 PowerEdge R450服务器内存插槽使用说明，内存插法及正确安装方法

系统内存指南

PowerEdge R450 系统支持 DDR4 寄存式 DIMM (RDIMM)。系统内存可容纳由处理器执行的指令。

系统包含 16 个内存插槽，划入每个处理器的八个通道中。

内存通道按如下方式组织：

表 1. 内存通道
处理器	通道 A	通道 B	通道 C	通道 D	通道 E	通道 F	通道 G	通道 H
处理器 1	A1	A5	A3	A7	A2	A6	A4	A8
处理器 2	B1	B5	B3	B7	B2	B6	B4	B8

表 2. 支持的内存值表
DIMM 类型	列	容量	DIMM 的额定电压和速度	每个通道的 DIMM (DPC) 的操作速度
RDIMM	1 R	8 GB	DDR4 (1.2 V)，2933 MT/s	2933 MT/s
RDIMM	2 R	16 GB/32 GB/64 GB	DDR4 (1.2 V)，2933 MT/s	2933 MT/s

为确保获得最佳系统性能，请在配置系统内存时遵守以下一般原则。如果系统的内存配置无法查看这些原则，系统可能无法引导、在内存配置期间停止响应，或者可能在降低内存的情况下运行。

内存总线的工作频率可以是 2933 MT/s ，具体取决于以下因素：

注: MT/s 表示 DIMM 速度 (MegaTransfers/s)。

此系统支持灵活内存配置，使系统能够在任何有效的芯片组结构配置中配置和运行。建议您遵循以下原则，以安装内存模块：

所有 DIMM 都必须是 DDR4。
基于 x4 和 x8 DRAM 的内存模块可以混用。
如果安装了速度不同的内存模块，则它们将以安装的最慢内存模块速度运行。
仅在安装处理器时填充内存模块插槽。
- 对于单处理器系统，插槽 A1 至 A8 可用。
- 对于双处理器系统，插槽 A1 至 A8 和插槽 B1 至 B8 可用。

在优化器模式中，DRAM 控制器会在 64 位模式下独立运行并提供优化的内存性能。

表 1. 内存填充规则
处理器	配置	内存填充	内存填充信息
单处理器	优化器(独立通道)填充顺序	A{1}、A{2}、A{3}、A{4}、A{5}、A{6}、A{7}、A{8}	允许 1、2、3、4 个 DIMM。
双处理器（从处理器 1 开始。然后应符合处理器 1 和处理器 2 的填充方法）	优化器(独立通道)填充顺序	A{1}、B{1}、A{2}、B{2}、A{3}、B{3}、A{4}、B{4}、A{5}、B{5}、A{6}、B{6}、A{7}、B{7} A{8}、B{8}	每个系统支持 1、2、3、4、5、6、7、8 个 DIMM。注: 优化器填充顺序与用于双处理器的 8 和 16 个 DIMM 的传统安装不同。

只要遵循其他内存填充规则，则不同容量的内存模块可以混用。
注: 例如，8 GB 和 16 GB 内存模块可以混用。
不支持在同一个系统中混合使用两个以上的内存模块容量。
不平衡或奇数内存配置会导致性能损失，并且系统可能无法识别正在安装的内存模块，因此请始终使用数量相等的 DIMM 以相同方式填充各内存通道，以获得最佳性能。
每个处理器支持的 RDIMM/LRDIMM 配置分别为 1、2、4、6、8 个 DIMM。
每个处理器一次填充八个相同的内存模块（每个通道一个 DIMM）以最大化性能。
注: “相同内存模块”是指可能由不同供应商提供，但电气规格和容量相同的 DIMM。